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硅光电二极管

SG1226P 硅光电二极管(光电池)

  • 光谱响应范围: 峰值:
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额定参数(TA=25℃):

参数名称
符  号 额定值 单位
反向击穿电压 V(BR)R
60 V
功耗 Pc 340 mW
工作温度
Topr -35~+75
贮存温度 Tstg -40~+80


光电参数:

参数名称
符  号
测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
感光峰值波长 λp
/ / 720 / nm
感光波宽范围 λ
/ 320 / 1100 nm
开路电压 Voc / 360 / / mV
旁路电阻 Rsh VR=10mV 0.2 8 /
光电流 IL 100Lx,2856k / 7 16 uA
暗电流 ID VR=1V
/ 10 nA
上升时间 tr VR=0V RL=1KΩ
/ 2
/ uS
下降时间 tf / / uS
结电容 Ct VR=0V,f=10kHz / 1280 / pF
接收角度 2θ?

/ 85 / deg

光谱响应:


外形图(单位:毫米/mm):

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